|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 87, выпуск 5, страницы 291–295
(Mi jetpl52)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
АТОМЫ, СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ
Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения
А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
На примере триплетных связанных экситонов в селениде галлия исследована временная зависимость сигнала антипересечения зеемановских подуровней экситонов в условиях резонансного возбуждения. Обнаружено, что форма сигнала антипересечения меняется в течение времени жизни возбужденного состояния, при этом временная зависимость сигнала антипересечения при резонанасном возбуждении экситонных состояний существенно отличается от соответствующей зависимости, наблюдаемой в условиях межзонного возбуждения люминесценции. Предложено теоретическое описание наблюдаемых эффектов.
Поступила в редакцию: 24.12.2007 Исправленный вариант: 29.01.2008
Образец цитирования:
А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, “Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения”, Письма в ЖЭТФ, 87:5 (2008), 291–295; JETP Letters, 87:5 (2008), 243–247
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl52 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i5/p291
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 164 | PDF полного текста: | 78 | Список литературы: | 24 |
|