Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 105, выпуск 4, страницы 230–234
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17040099
(Mi jetpl5198)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS$_2$

Д. Г. Квашнинab, Л. А. Чернозатонскийa

a Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS$_2$ с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS$_2$ приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-01217
Работа выполнена в рамках проекта РНФ #14-12-01217.
Поступила в редакцию: 07.12.2016
Исправленный вариант: 22.12.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 105, Issue 4, Pages 250–254
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017040117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Г. Квашнин, Л. А. Чернозатонский, “Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 105:4 (2017), 230–234; JETP Letters, 105:4 (2017), 250–254
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KvaChe17}
\by Д.~Г.~Квашнин, Л.~А.~Чернозатонский
\paper Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на~основе MoS$_2$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 4
\pages 230--234
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5198}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17040099}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28367918}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 4
\pages 250--254
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017040117}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000400277000009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85017954118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5198
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i4/p230
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024