|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS$_2$
Д. Г. Квашнинab, Л. А. Чернозатонскийa a Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Аннотация:
В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS$_2$ с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS$_2$ приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.
Поступила в редакцию: 07.12.2016 Исправленный вариант: 22.12.2016
Образец цитирования:
Д. Г. Квашнин, Л. А. Чернозатонский, “Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 105:4 (2017), 230–234; JETP Letters, 105:4 (2017), 250–254
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5198 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i4/p230
|
|