|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn$_2$P$_2$S$_6$ с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом
П. А. Прудковскийa, К. А. Бреховb, К. А. Гришунинb, К. А. Кузнецовa, Е. Д. Мишинаb, М. С. Фокинa, Г. Х. Китаеваa a Физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Московский технологический университет (МИРЭА), 119434 Москва, Россия
Аннотация:
Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn$_2$P$_2$S$_6$ при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси $b$. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракционной природы взаимно компенсируют друг друга. Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изменением мощности накачки, демонстрируется впервые.
Поступила в редакцию: 18.07.2016 Исправленный вариант: 14.12.2016
Образец цитирования:
П. А. Прудковский, К. А. Брехов, К. А. Гришунин, К. А. Кузнецов, Е. Д. Мишина, М. С. Фокин, Г. Х. Китаева, “Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn$_2$P$_2$S$_6$ с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом”, Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017), 142–147; JETP Letters, 105:3 (2017), 158–163
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5179 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i3/p142
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 158 | PDF полного текста: | 30 | Список литературы: | 38 | Первая страница: | 11 |
|