|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Ядерная магнитная релаксация, наведенная релаксацией электронных спинов
М. А. Боричab, Ю. М. Буньковc, М. И. Куркинa, А. П. Танкеевba a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
b Уральский федеральный университет им. первого президента России Б.Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
c Казанский федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Аннотация:
Предложен механизм, обеспечивающий релаксацию ядерных спинов, связанных сверхтонким взаимодействием с релаксирующими электронными спинами в веществах со спиновым упорядочением. Скорость этой наведенной ядерной магнитной релаксации пропорциональна динамическому сдвигу частоты ядерного магнитного резонанса (ЯМР), поэтому ее максимальное влияние на сигнал ЯМР следует ожидать в условиях существования ядерных спиновых волн. Приведены оценки, из которых следует, что наведенная релаксация может оказаться гораздо эффективнее релаксации, обусловленной механизмом Блоха. Кроме того, между наведенной релаксацией и релаксацией Блоха существует качественное различие. Динамика подрешеток ядерных спинов в условиях наведенной релаксации сводится к вращению векторов $\mathbf{m}_1$ и $\mathbf{m}_2$ без изменения их длины ($\mathbf{m}_1^2(t)=\mathbf{m}_2^2(t)=\mathbf{m}_0^2(t)=\text{const}$). Это означает, что возбуждение сигналов ЯМР резонансным магнитным полем не изменяет температуру ядерной спиновой системы $T_n$. Этим наведенная релаксация качественно отличается от релаксации Блоха, для которой повышение температуры $T_n$ при насыщении сигналов ЯМР является определяющим эффектом.
Поступила в редакцию: 17.11.2016
Образец цитирования:
М. А. Борич, Ю. М. Буньков, М. И. Куркин, А. П. Танкеев, “Ядерная магнитная релаксация, наведенная релаксацией электронных спинов”, Письма в ЖЭТФ, 105:1 (2017), 23–27; JETP Letters, 105:1 (2017), 21–25
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5154 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i1/p23
|
|