Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 11, страницы 774–779
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1623003X (Mi jetpl5126) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для томографии времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах

В. П. Калинушкин, О. В. Уваров

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (1899 kB) Список цитирования (5)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1623003X
Аннотация: На примере кристаллов ZnSe рассмотрены перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для создания “плоских карт” времен жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах и для исследования других прямозонных полупроводников и структур на их основе. Показана возможность формирования таких карт с шагом по глубине и пространственным разрешением по плоскости в несколько мкм до расстояний от поверхности до 1 мм. Сообщается о наблюдении с помощью этой методики неоднородностей в кристаллах и исследовании их структуры и люминесцентных характеристик.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена в соответствии с Программой Президиума РАН “Фундаментальные основы прорывных технологий двойного назначения в интересах национальной безопасности” (проект “Исследование возможности создания высокоэффективных лазеров ИК-диапазона (4–5 мкм) на основе кристаллов ZnSe, легированных железом, при ударном возбуждении ионов активатора горячими электронами”).
Поступила в редакцию: 05.09.2016
Исправленный вариант: 19.10.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 11, Pages 754–758
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016230089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Калинушкин, О. В. Уваров, “Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для томографии времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниковых материалах”, Письма в ЖЭТФ, 104:11 (2016), 774–779; JETP Letters, 104:11 (2016), 754–758
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalUva16}
\by В.~П.~Калинушкин, О.~В.~Уваров
\paper Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для~томографии времени жизни неравновесных носителей тока в~полупроводниковых материалах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 11
\pages 774--779
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5126}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X1623003X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27509705}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 11
\pages 754--758
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016230089}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000395060400003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85013998692}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5126
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i11/p774
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:160
    PDF полного текста:30
    Список литературы:54
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024