|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением
С. И. Дорожкинa, В. Уманскийb, К. фон Клитцингc, Ю. Х. Сметc a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Аннотация:
На образце гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой обнаружено, что в пределах одного индуцированного микроволновым излучением состояния со стремящимся к нулю сопротивлением возможны различные конфигурации доменов спонтанного электрического поля. Переходы между такими конфигурациями наблюдались при изменении как мощности излучения, так и магнитного поля. В общем случае конфигурация доменов оказывается сложнее существующих моделей. Для одной из наблюдавшихся конфигураций фрагмент распределения электрического поля в образце согласуется с ромбической доменной структурой, рассмотренной в работе I. G. Finkler and B. I. Halperin, Phys. Rev. B 79, 085315 (2009).
Поступила в редакцию: 28.09.2016 Исправленный вариант: 04.10.2016
Образец цитирования:
С. И. Дорожкин, В. Уманский, К. фон Клитцинг, Ю. Х. Смет, “Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением”, Письма в ЖЭТФ, 104:10 (2016), 734–739; JETP Letters, 104:10 (2016), 721–725
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5121 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i10/p734
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 178 | PDF полного текста: | 17 | Список литературы: | 32 | Первая страница: | 6 |
|