Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 10, страницы 734–739
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16220124 (Mi jetpl5121) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением

С. И. Дорожкинa, В. Уманскийb, К. фон Клитцингc, Ю. Х. Сметc

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
PDF полного текста (691 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16220124
Аннотация: На образце гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой обнаружено, что в пределах одного индуцированного микроволновым излучением состояния со стремящимся к нулю сопротивлением возможны различные конфигурации доменов спонтанного электрического поля. Переходы между такими конфигурациями наблюдались при изменении как мощности излучения, так и магнитного поля. В общем случае конфигурация доменов оказывается сложнее существующих моделей. Для одной из наблюдавшихся конфигураций фрагмент распределения электрического поля в образце согласуется с ромбической доменной структурой, рассмотренной в работе I. G. Finkler and B. I. Halperin, Phys. Rev. B 79, 085315 (2009).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00599
Работа была поддержана грантом Российского научного фонда (проект # 14-12-00599).
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Исправленный вариант: 04.10.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 10, Pages 721–725
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016220070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Дорожкин, В. Уманский, К. фон Клитцинг, Ю. Х. Смет, “Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением”, Письма в ЖЭТФ, 104:10 (2016), 734–739; JETP Letters, 104:10 (2016), 721–725
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorUmaKli16}
\by С.~И.~Дорожкин, В.~Уманский, К.~фон~Клитцинг, Ю.~Х.~Смет
\paper Наблюдение изменений доменной структуры спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 10
\pages 734--739
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5121}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16220124}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27330833}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 10
\pages 721--725
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016220070}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000394539300012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85013141416}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5121
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i10/p734
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:178
    PDF полного текста:17
    Список литературы:32
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024