Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 10, страницы 729–733
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16220112 (Mi jetpl5120) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта

З. Д. Квонab, К. -М. Дантчерc, М.-Т. Шеррc, А. С. Ярошевичb, Н. Н. Михайловab

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Terahertz Center, University of Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany
PDF полного текста (422 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16220112
Аннотация: Изучен терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора (ТИ) в HgTe квантовой яме, находящегося в режиме квазибаллистического транспорта. Обнаружено фотосопротивление (ФС), возникающее только в окрестности точки зарядовой нейтральности (ТЗН). Приложение магнитного поля до 4 Т в плоскости квантовой ямы приводит к росту ФС в пике, а также расширению области вблизи ТЗН, в которой оно существует. Приведенные результаты позволяют предположить, что наблюдаемое ФС обусловлено переходами c участием краевых дисперсионных веток двумерного ТИ.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10041
Deutsche Forschungsgemeinschaft 1666
Elite Network of Bavaria K-NW-2013-247
Работа выполнена при поддержке РНФ (грант # 16-12-10041, выращивание HgTe квантовых ям, изготовление полевых микротранзисторов, проведение эксперимента и анализ данных). К.-М. Дантчер благодарит DFG (Priority Group 1666) и Elite Network of Bavaria (K-NW-2013-247) за поддержку.
Поступила в редакцию: 27.09.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 10, Pages 716–720
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016220112
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. Д. Квон, К. -М. Дантчер, М.-Т. Шерр, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:10 (2016), 729–733; JETP Letters, 104:10 (2016), 716–720
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KvoDanSch16}
\by З.~Д.~Квон, К.~-М.~Дантчер, М.-Т.~Шерр, А.~С.~Ярошевич, Н.~Н.~Михайлов
\paper Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 10
\pages 729--733
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5120}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16220112}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27330832}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 10
\pages 716--720
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016220112}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000394539300011}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85013151835}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5120
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i10/p729
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:257
    PDF полного текста:32
    Список литературы:54
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024