|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$
Л. Н. Овешниковab, В. А. Прудкоглядa, Е. И. Нехаеваab, А. Ю. Кунцевичac, Ю. Г. Селивановa, Е. Г. Чижевскийa, Б. А. Аронзонab a Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский Институт", 123182 Москва, Россия
c Национальный исследовательский университет Высшая Школа Экономики, 101000 Москва, Россия
Аннотация:
В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$ с защитным слоем Se, выращенных на подложках (111) BaF$_{2}$. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях, обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова–де Гааза в больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении наличия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим.
Поступила в редакцию: 31.08.2016 Исправленный вариант: 22.09.2016
Образец цитирования:
Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Е. И. Нехаева, А. Ю. Кунцевич, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, “Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016), 651–657; JETP Letters, 104:9 (2016), 629–634
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5106 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i9/p651
|
|