Низкотемпературный вклад в резонансный туннельный кондактанс неупорядоченного $N$–$I$–$N$ контакта

Получена формула для вклада $\Delta G^{\text{res}} (T)$ в резонансный туннельный кондактанс $N$–$I$–$N$ ($N$ — нормальный металл, $I$ — изолятор) контакта со слабым (малые концентрации примеси) структурным беспорядком в $I$-слое, обусловленного низкотемпературным “размытием” электронных ферми-поверхностей в его $N$-берегах. Показано, что температурная зависимость $\Delta G^{\text{res}} (T)$ в таком “грязном” контакте качественно отличается от соответствующей зависимости $\Delta G_0 (T)$ в “чистом” (без резонансных примесей в $I$-слое) контакте: $\Delta G^{\text{res}}(T) < 0$, $d(\Delta G^{\text{res}})/dT < 0$; $\Delta G_0(T) > 0$, $d(\Delta G_0)/dT > 0$, что может служить экспериментальным тестом на наличие примесных туннельных резонансов в неупорядоченном $I$-слое.