|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор
В. Н. Меньшовab, В. В. Тугушевab, Е. В. Чулковcdbe a Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c С.-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия
d Departamento de Física de Materiales, Facultad de Ciencias Químicas, UPV/EHU, 20080 San Sebastían, Basque Country, Spain
e Centro de Física de Materiales CFM-MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebastían, Basque Country, Spain
Аннотация:
В работе теоретически изучается вопрос, как магнитная модуляция может быть использована для управления транспортными свойствами гетероструктур, сформированных тонкой пленкой трехмерного топологического изолятора, помещенной между обкладками нормального изолятора. С использованием $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ схемы в рамках континуального подхода показано, что электронные состояния системы поляризованы по спину, когда ультратонкие магнитные вставки инкорпорированы в пленку. Продемонстрировано, что: 1) амплитуда спиновой поляризации сильно зависит от позиции магнитной вставки в пленке; 2) существует оптимальная для реализации квантового аномального эффекта Холла позиция вставки, которая является функцией параметров материала, толщины пленки и интерфейсного потенциала на границе между топологическим и нормальным изоляторами. Для гетероструктуры с парой симметрично расположенных магнитных вставок рассчитана фазовая диаграмма, которая показывает ряд переходов между различными квантовыми режимами поперечной проводимости. В контексте представленных результатов предлагается последовательная интерпретация недавно установленных экспериментальных фактов.
Поступила в редакцию: 06.07.2016
Образец цитирования:
В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Е. В. Чулков, “Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 480–487; JETP Letters, 104:7 (2016), 453–459
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5077 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i7/p480
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 215 | PDF полного текста: | 46 | Список литературы: | 30 | Первая страница: | 8 |
|