Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 5, страницы 334–335
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170082
(Mi jetpl5056)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Transport of electrons on liquid helium in a microchannel device near the current threshold

N. R. Beysengulovab, D. G. Reesbc, D. A. Tayurskiiab, K. Konoabc

a KFU-RIKEN Joint Research Laboratory, Institute of Physics, Kazan Federal University, 420008 Kazan, Russia
b RIKEN CEMS, 351-0198 Wako, Japan
c NCTU-RIKEN Joint Research Laboratory, Institute of Physics, National Chiao Tung University, 300 Hsinchu, Taiwan
Список литературы:
Аннотация: We study the transport of strongly interacting electrons on the surface of liquid helium confined in a microchannel geometry, near the current threshold point. The current threshold depends on the electrostatic confinement, created by the microchannel electrodes, and on the electrostatic potential of electron system. Depending on the geometry of the microchannel, the current pinch-off can occur at the center or move to the edges of the microchannel, as confirmed by Finite Element Model calculations. The confining potential dependence of electron conductivity above the current threshold point is consistent with a classical charge continuum model. However, we find that below the threshold point electron transport is suppressed due to charging energy effects.
Поступила в редакцию: 25.07.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 5, Pages 323–328
DOI: https://doi.org/10.1134/S002136401617001X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. R. Beysengulov, D. G. Rees, D. A. Tayurskii, K. Kono, “Transport of electrons on liquid helium in a microchannel device near the current threshold”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 334–335; JETP Letters, 104:5 (2016), 323–328
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BeyReeTay16}
\by N.~R.~Beysengulov, D.~G.~Rees, D.~A.~Tayurskii, K.~Kono
\paper Transport of electrons on liquid helium in a microchannel device near the current threshold
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 334--335
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5056}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16170082}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26625546}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 323--328
\crossref{https://doi.org/10.1134/S002136401617001X}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000388292500008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84987650915}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5056
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i5/p334
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:133
    PDF полного текста:25
    Список литературы:34
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024