Нулевое дифференциальное сопротивление двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале при больших факторах заполнения

Исследован нелинейный магнетотранспорт двумерного ($2\mathrm{D}$) электронного газа в одномерных латеральных сверхрешетках, изготовленных на основе селективно-легированной гетероструктуры GaAs/AlAs. Одномерная потенциальная модуляция $2\mathrm{D}$ электронного газа осуществлялась при помощи серии металлических полосок, сформированных на поверхности гетероструктуры с использованием электронно-лучевой литографии и технологии “взрыва”. Изучались зависимости дифференциального сопротивления $r_{xx}$ от магнитного поля $B < 1.5$ Тл при температуре $T = 4.2\,$K в сверхрешетках с периодом $a=400\,$ нм. Обнаружено, что в одномерных латеральных сверхрешетках в скрещенных электрическом и магнитном полях возникают электронные состояния с $r_{xx} \approx 0$. Показано, что в $2\mathrm{D}$ электронных системах с одномерной периодической модуляцией состояния с $r_{xx} \approx 0$ возникают в минимумах соизмеримых осцилляций магнетосопротивления.