|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
РАЗНОЕ
Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум
С. А. Рожковab, В. В. Бакинb, Д. В. Горшковab, С. Н. Косолобовb, Г. Э. Шайблерb, А. С. Тереховb a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Экспериментально установлено, что перенос фотоэлектронов из объема p-GaN (Cs,O)-фотокатода в вакуум сопровождается испусканием каскада оптических фононов. В спектре квантовой эффективности p-GaN (Cs,O)-фотокатода обнаружен экситонный пик, указывающий на существенный вклад электрон-дырочного взаимодействия в генерацию свободных электронов в сильнолегированном p-GaN.
Поступила в редакцию: 24.05.2016
Образец цитирования:
С. А. Рожков, В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 128–132; JETP Letters, 104:2 (2016), 135–139
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5034 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i2/p128
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 185 | PDF полного текста: | 52 | Список литературы: | 43 | Первая страница: | 6 |
|