|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Импульсная фотопроводимость алмаза при квазистационарном возбуждении лазерным излучением на 222 нм в условиях существования электронно-дырочной жидкости
Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, В. Ф. Тарасенко Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия
Аннотация:
В поликристаллическом алмазном образце, синтезированном методом газохимического осаждения, наблюдалось увеличение тока импульсной фотопроводимости на порядок величины в условиях существования электронно-дырочной жидкости. Возбуждение неравновесных носителей заряда производилось лазерным излучением на длине волны 222 нм длительностью 18 нс на полувысоте с пиковой интенсивностью более 2.5 МВт/см$^2$ и при охлаждении образца до 90 К. При воздействии излучением с пиковой интенсивностью менее 1 МВт/см$^2$ охлаждение образца от 300 до 90 К вызывало уменьшение тока импульсной фотопроводимости в ${\sim}\,5$ раз. Предположено, что наблюдавшееся увеличение тока импульсной фотопроводимости связано с конденсацией электронно-дырочной жидкости.
Поступила в редакцию: 28.03.2016
Образец цитирования:
Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, В. Ф. Тарасенко, “Импульсная фотопроводимость алмаза при квазистационарном возбуждении лазерным излучением на 222 нм в условиях существования электронно-дырочной жидкости”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 755–761; JETP Letters, 103:11 (2016), 663–668
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4949 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i11/p755
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 203 | PDF полного текста: | 42 | Список литературы: | 47 | Первая страница: | 8 |
|