Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 103, выпуск 9, страницы 679–683
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16090095
(Mi jetpl4936)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронный спектр бислоя графена с нарушенной эквивалентностью подрешеток внутри слоев

З. З. Алисултановabc

a Институт общей физики им. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
b Институт физики им. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
c Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Россия
Список литературы:
Аннотация: Рассчитан электронный спектр двухслойного графена, состоящего из слоев с нарушенной эквивалентностью между подрешетками, т.е. из щелевых (с шириной щели $2\Delta$) графеновых слоев. В спектре такой системы имеется запрещенная щель шириной $2\Delta$. Исследовано влияние перпендикулярного электрического поля на электронный спектр такой системы. Показано, что при наличии электрического поля ширина запрещенной щели пропорциональна разности $|U-\Delta|$. Последнее означает, что щель исчезает при $U=\Delta$. Этот эффект можно предложить как эффективный метод для избавления от нежелательной щели в спектре.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-03311_a
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-4471.2015.2
3.1262.2014
Российский научный фонд МКН-15-19-10049
Фонд Дмитрия Зимина «Династия»
Работа поддержана грантом РФФИ # 15-02-03311a, грантом президента РФ МК-4471.2015.2, грантом РНФ МКН-15-19-10049, а также проектом # 3.1262.2014 Минобрнауки РФ в сфере научной деятельности. Автор искренне благодарен фонду Дмитрия Зимина “Династия” за финансовую поддержку.
Поступила в редакцию: 09.03.2016
Исправленный вариант: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 103, Issue 9, Pages 598–602
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016090022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. З. Алисултанов, “Электронный спектр бислоя графена с нарушенной эквивалентностью подрешеток внутри слоев”, Письма в ЖЭТФ, 103:9 (2016), 679–683; JETP Letters, 103:9 (2016), 598–602
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ali16}
\by З.~З.~Алисултанов
\paper Электронный спектр бислоя графена с нарушенной эквивалентностью подрешеток внутри слоев
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 103
\issue 9
\pages 679--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4936}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16090095}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26254038}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 103
\issue 9
\pages 598--602
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016090022}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000381078900009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84979211137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4936
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i9/p679
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:151
    PDF полного текста:18
    Список литературы:23
    Первая страница:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024