Аннотация:
На основе результатов молекулярно-динамических экспериментов, выполненных для металлических нанокластеров (золота, никеля и алюминия) с использованием потенциала сильной связи, установлено, что температура плавления заметно возрастает, а температура кристаллизации существенно уменьшается с увеличением по модулю скоростей нагрева и охлаждения соответственно. Сделан вывод о том, что выраженный гистерезис плавления и кристаллизации обусловлен главным образом неравновесными условиями нагрева и охлаждения, но не устраняется полностью уменьшением скорости изменения температуры. Установлено, что на структурном уровне гистерезису плавления–кристаллизации отвечает плавный кроссовер от жидкого состояния к кристаллическому.
Работа выполнена в Тверском государственном университете при финансовой поддержке Минобрнауки Российской Федерации в рамках государственного задания в сфере научной деятельности (проект #3.2448.2014/K).
Поступила в редакцию: 20.04.2015 Исправленный вариант: 12.10.2015
Образец цитирования:
В. М. Самсонов, С. А. Васильев, И. В. Талызин, Ю. А. Рыжков, “О причинах гистерезиса плавления и кристаллизации наночастиц”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 100–105; JETP Letters, 103:2 (2016), 94–99
Elena V. Dudysheva, Galina S. Shiling, Pavel V. Zakharov, 2024 7th International Conference on Information Technologies in Engineering Education (Inforino), 2024, 1
V. V. Puytov, A. A. Romanov, I. V. Talyzin, V. M. Samsonov, Russ Chem Bull, 71:4 (2022), 686
V. G. Sursaeva, Russ. Metall., 2021:10 (2021), 1165–1170
V. M. Samsonov, S. A. Vasilyev, K. K. Nebyvalova, I. V. Talyzin, N. Yu. Sdobnyakov, D. N. Sokolov, M. I. Alymov, J. Nanopart. Res., 22:8 (2020), 247
V. G. Sursaeva, A. S. Gornakova, Russ. Metall., 2020:10 (2020), 1050–1054
V. N. Kuryakov, D. D. Ivanova, A. P. Semenov, P. A. Gushchin, E. V. Ivanov, A. A. Novikov, T. N. Yusupova, D. Shchukin, Energy Fuels, 34:5 (2020), 5168–5175
V M Samsonov, A Yu Kartoshkin, I V Talyzin, S A Vasilyev, I A Kaplunov, J. Phys.: Conf. Ser., 1658:1 (2020), 012047
V. M. Samsonov, I. V. Talyzin, A. Yu. Kartoshkin, S. A. Vasilyev, Appl. Nanosci., 9:1 (2019), 119–133
I. V. Talyzin, M. V. Samsonov, V. M. Samsonov, M. Yu. Pushkar, V. V. Dronnikov, Semiconductors, 53:7 (2019), 947–953
M. Azreg-Ainou, B. Ibrahimoglu, Eur. Phys. J. E, 42:8 (2019), 96
V. M. Samsonov, N. Yu. Sdobnyakov, I. V. Talyzin, D. N. Sokolov, V. S. Myasnichenko, S. A. Vasilyev, A. Yu. Kolosov, J. Surf. Ingestig., 13:6 (2019), 1185–1188
I. V. Talyzin, A. Yu. Kartoshkin, S. A. Vasilyev, M. V. Samsonov, V. M. Samsonov, Phys. Chem. Aspects Study Clusters Nanostruct. Nanomater., 2019, no. 11, 364–373
I. V. Talyzin, V. M. Samsonov, Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh., 22:2 (2019), 84
Igor V. Talyzin, Vladimir M. Samsonov, MoEM, 5:4 (2019), 159
V. M. Samsonov, A. G. Bembel, A. Yu. Kartoshkin, S. A. Vasilyev, I. V. Talyzin, J. Therm. Anal. Calorim., 133:2 (2018), 1207–1217
S. A. Guchenko, V. M. Yurov, V. Ch. Laurinas, S. S. Kasymov, Bull. Univ. Karaganda-Phys., 3:91 (2018), 16–28
V. M. Samsonov, N. Yu. Sdobnyakov, V. S. Myasnichenko, I. V. Talyzin, V. V. Kulagin, S. A. Vasilyev, A. G. Bembel, A. Yu. Kartoshkin, D. N. Sokolov, J. Surf. Ingestig., 12:6 (2018), 1206–1209
A. G. Bembel, Russ. Phys. J., 59:10 (2017), 1567–1574
V. S. Baidyshev, Yu. Ya. Gafner, S. L. Gafner, L. V. Redel, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2512–2518
Цитирование в формате AMSBIB
Обратная связь: