Исследование методом ФМР анизотропных свойств эпитаксиальной пленки Fe$_3$Si на вицинальной поверхности Si(111)

Методом ферромагнитного резонанса измерены анизотропные характеристики эпитаксиальной тонкой магнитной пленки силицида железа Fe$_3$Si, выращенной на вицинальной поверхности кремния Si(111) с углом разориентации $0.14^\circ$. Показано, что по угловым зависимостям поля ферромагнитного резонанса эпитаксиальной пленки можно определить одновременно полярный и азимутальный углы разориентации кристаллографической плоскости подложки. Определены значения эффективной намагниченности насыщения пленки $M_{\text{eff}}=1105\,$Гс и константы кубической магнитокристаллической анизотропии $K_4=1.15\cdot10^5\,$эрг/см$^3$. Разориентация плоскости подложки приводит к образованию ступенек на поверхности пленки и, как следствие, к возникновению одноосной магнитной анизотропии магнитодипольной природы, константа которой $K_2=796\,$эрг/см$^3$. Обнаружена небольшая однонаправленная магнитная анизотропия ($K_1=163\,$эрг/см$^3$), возникновение которой может быть связано с нарушением симметрии на ступеньках пленки и обусловлено взаимодействием Дзялошинского–Мория.