Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015, том 102, выпуск 10, страницы 770–774
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15220099
(Mi jetpl4794)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Механизм релаксации энергии в системе уровней Ландау в квантовых ямах

М. П. Теленковab, Ю. А. Митягинca, В. В. Агафоновa, К. К. Нагараджаab

a Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049 Москва, Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, 115409 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Изучена кинетика внутриподзонной релаксации энергии электронов в системе уровней Ландау, лежащих ниже энергии оптического фонона. Обнаружено, что характер релаксации в рассматриваемой системе принципиально отличается от характера релаксации в двумерной непрерывной подзоне квантовой ямы. В частности, в системе уровней Ландау качественно различаются механизмы термализации электронной подсистемы и релаксации ее энергии. При этом время релаксации электронной подсистемы оказывается на несколько порядков больше времени термализации.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-09055
Министерство образования и науки Российской Федерации К4- 2014-073
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект #15-02-09055) и Министерства образования и науки РФ по программе повышения конкурентоспособности НИТУ “МИСиС” среди ведущих мировых научно-образовательных центров (проект #К4-2014-073).
Поступила в редакцию: 28.08.2015
Исправленный вариант: 06.10.2015
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, Volume 102, Issue 10, Pages 678–682
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364015220129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. П. Теленков, Ю. А. Митягин, В. В. Агафонов, К. К. Нагараджа, “Механизм релаксации энергии в системе уровней Ландау в квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 102:10 (2015), 770–774; JETP Letters, 102:10 (2015), 678–682
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TelMitAga15}
\by М.~П.~Теленков, Ю.~А.~Митягин, В.~В.~Агафонов, К.~К.~Нагараджа
\paper Механизм релаксации энергии в системе уровней Ландау в~квантовых ямах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 10
\pages 770--774
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4794}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15220099}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25021528}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 10
\pages 678--682
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015220129}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000370762900009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84958770963}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4794
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i10/p770
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:167
    PDF полного текста:36
    Список литературы:29
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024