|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Усиление псевдощелевых аномалий в ВТСП YBa$_2$Cu$ _3$O$_{6.93}$ под влиянием наномасштабной структурной неоднородности
Л. Г. Мамсуроваa, К. С. Пигальскийa, Н. Г. Трусевичa, А. А. Вишневa, М. А. Роговаa, С. Ю. Гаврилкинb, А. Ю. Цветковb a Институт химической физики им. Семенова РАН, 119991 Москва, Россия
b Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Экспериментально исследованы намагниченность $M(H)$ в сверхпроводящем состоянии, статическая магнитная восприимчивость $\chi(T)$ в нормальном состоянии, а также теплоемкость $C(T)$ вблизи температур сверхпроводящего перехода $T_{c}$ для серии мелкокристаллических образцов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y} $, имеющих близкие к оптимальным значения $y = 6.93 \pm 0.03$ и $T_{c} = 91.5 \pm 0.5$ K и отличающихся лишь степенью наномасштабной структурной неоднородности. Из анализа кривых $M(H)$ получены значения сверхпроводящих параметров (лондоновской глубины проникновения магнитного поля и параметра Гинзбурга–Ландау), а также термодинамического критического поля $H_c$. Обнаружено, что увеличение степени наномасштабной структурной неоднородности приводит к увеличению сверхпроводящих параметров, уменьшению $H_{c}(T)$ и скачка теплоемкости $\Delta C/T_c$. Показано, что причиной, вызывающей изменение физических характеристик, является подавление плотности состояний вблизи уровня Ферми. Из анализа $\chi (T)$ получена оценка для величин псевдощели. Сделан вывод о том, что наномасштабная структурная неоднородность существенно усиливает, а возможно, и порождает псевдощелевой режим в образцах высокотемпературных сверхпроводников с оптимальным допированием.
Поступила в редакцию: 15.07.2015 Исправленный вариант: 29.09.2015
Образец цитирования:
Л. Г. Мамсурова, К. С. Пигальский, Н. Г. Трусевич, А. А. Вишнев, М. А. Рогова, С. Ю. Гаврилкин, А. Ю. Цветков, “Усиление псевдощелевых аномалий в ВТСП YBa$_2$Cu$ _3$O$_{6.93}$ под влиянием наномасштабной структурной неоднородности”, Письма в ЖЭТФ, 102:10 (2015), 752–758; JETP Letters, 102:10 (2015), 662–667
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4791 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i10/p752
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 170 | PDF полного текста: | 32 | Список литературы: | 30 | Первая страница: | 4 |
|