|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле
О. А. Ткаченкоa, В. А. Ткаченкоba, З. Д. Квонab a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Численным решением нестационарного уравнения Шредингера показано, что коэффициент прохождения электрона через одномерный плавный барьер в высокочастотном поле может увеличиваться на порядки в туннельном режиме и сильно уменьшаться в открытом режиме. При этом основной вклад вносят переходы с поглощением или испусканием нескольких фотонов. Найденным эффектом можно объяснить недавно обнаруженный сильный рост кондактанса туннельного точечного контакта при облучении структуры микроволнами.
Поступила в редакцию: 16.06.2015 Исправленный вариант: 28.07.2015
Образец цитирования:
О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, “Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле”, Письма в ЖЭТФ, 102:6 (2015), 417–422; JETP Letters, 102:6 (2015), 378–382
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4736 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i6/p417
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 259 | PDF полного текста: | 48 | Список литературы: | 63 | Первая страница: | 28 |
|