|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах
HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний
Г. М. Миньковab, А. А. Шерстобитовba, А. В. Германенкоb, О. Э. Рутb, С. А. Дворецкийc, Н. Н. Михайловc a Институт физики металлов им. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
b Уральский федеральный университет им. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия
c Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Измерена проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром. Показано, что в квантовых ямах толщиной 8–10 нм клейновское туннелирование не очень эффективно и не мешает выделить вклад краевых состояний в проводимость. Разделение вкладов $p{-}n$-перехода и краевых состояний возможно при одновременном измерении сопротивлений области $p{-}n$-переходов на каналах с существенно различной шириной.
Поступила в редакцию: 29.01.2015 Исправленный вариант: 15.02.2015
Образец цитирования:
Г. М. Миньков, А. А. Шерстобитов, А. В. Германенко, О. Э. Рут, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Проводимость латерального $p{-}n$-перехода в двумерных структурах
HgTe с инвертированным спектром: роль краевых состояний”, Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015), 522–526; JETP Letters, 101:7 (2015), 469–473
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4598 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i7/p522
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 169 | PDF полного текста: | 34 | Список литературы: | 45 | Первая страница: | 11 |
|