|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции молекулярного кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs) определяется в основном вероятностью диссоциации молекулы во время ее столкновения с поверхностью. При увеличении количества адсорбированного кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,О) вероятность его хемосорбции снижается и в зависимости от величины цезиевого покрытия может либо по-прежнему определяться вероятностью диссоциации молекулы, либо ограничиваться вероятностью “захвата” атомов кислорода локальными центрами хемосорбции, либо зависеть от этих двух процессов.
Поступила в редакцию: 29.12.2014
Образец цитирования:
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 414–418; JETP Letters, 101:6 (2015), 380–384
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4580 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i6/p414
|
|