|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях
А. А. Добрецоваab, Л. С. Брагинскийab, М. В. Энтинba, З. Д. Квонab, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Проведено детальное исследование рассеяния двумерных
электронов в широких ($d=(18$–$22)$ нм) квантовых ямах на
основе HgTe. Обнаружены выход на максимум и последующее падение
подвижности при концентрациях двумерных электронов, превышающих
$(2$–$6)\,{\cdot}\,10^{11}$ см$^{-2}$, вызванные рассеянием на
шероховатостях квантовой ямы. Построена теория рассеяния на этих
шероховатостях, принимающая в расчет трансформацию волновой
функции с ростом электронной концентрации. Получено хорошее
согласие эксперимента и указанной теории. На основе этого сделан
вывод о существовании поверхностных состояний на границах
широкой HgTe квантовой ямы.
Поступила в редакцию: 20.01.2015
Образец цитирования:
А. А. Добрецова, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях”, Письма в ЖЭТФ, 101:5 (2015), 360–364; JETP Letters, 101:5 (2015), 330–333
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4571 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i5/p360
|
|