|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Электрические инжекция и детектирование спин-поляризованных
электронов в латеральных спиновых клапанах на гетеропереходах ферромагнитный
металл–полупроводник InSb
Н. А. Виглин, В. В. Устинов, В. М. Цвелиховская, Т. Н. Павлов Институт физики металлов УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Создано латеральное спинтронное устройство на полупроводнике InSb с
инжектором и детектором спин-поляризованных электронов (изготовленными из Fe),
отделенными от полупроводникового канала
туннельным барьером из MgO. Продемонстрированы электрические инжекция
и детектирование спин-поляризованных электронов в одном устройстве. На основании
измерений эффекта Ханле получены данные о параметрах спиновой подсистемы
электронов проводимости
полупроводника InSb и спиновой поляризации инжектированных электронов в
полупроводнике
на гетеропереходе Fe/MgO/InSb.
Поступила в редакцию: 11.11.2014 Исправленный вариант: 02.12.2014
Образец цитирования:
Н. А. Виглин, В. В. Устинов, В. М. Цвелиховская, Т. Н. Павлов, “Электрические инжекция и детектирование спин-поляризованных
электронов в латеральных спиновых клапанах на гетеропереходах ферромагнитный
металл–полупроводник InSb”, Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015), 118–123; JETP Letters, 101:2 (2015), 113–117
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4531 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i2/p118
|
|