Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 89, выпуск 12, страницы 707–712 (Mi jetpl451)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn

С. Н. Николаевa, Б. А. Аронзонab, В. В. Рыльковab, В. В. Тугушевa, Е. С. Демидовc, С. А. Левчукc, В. П. Лесниковc, В. В. Подольскийc, Р. Р. Гареевd

a Российский научный центр "Курчатовский институт"
b Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
d Institute of Experimental and Applied Physics, University of Regensburg, 93040 Regensburg, Germany
Список литературы:
Аннотация: В диапазоне температур 5–300 К и в магнитных полях до 2.5 Тл исследованы транспортные и магнитные свойства пленок $Mn_xSi_{1-x}$ c высоким содержанием Mn ($x\approx0.35$), полученных методом лазерного осаждения при температурах роста 300–350 $^\circ$C. Пленки обладают металлическим характером проводимости дырочного типа и демонстрируют относительно слабое изменение намагниченности в диапазоне температур 50–200 К. Обнаружен аномальный эффект Холла, имеющий в области температур $>50$К существенно гистерезисный характер, который сохраняется до температур $\approx230$К. Свойства пленок объясняются в рамках модели двухфазной системы, в которой ферромагнитные (ФМ) кластеры, содержащие междоузельные ионы Mn с локализованным магнитным моментом, встроены в матрицу слабого зонного ФМ типа $MnSi_{2-x}$ ($x\approx0.3$) с делокализованной спиновой плотностью.
Поступила в редакцию: 29.04.2009
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, Volume 89, Issue 12, Pages 603–608
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364009120030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 72.20.My, 72.25.Dc, 75.47.-m
Образец цитирования: С. Н. Николаев, Б. А. Аронзон, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, Е. С. Демидов, С. А. Левчук, В. П. Лесников, В. В. Подольский, Р. Р. Гареев, “Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn”, Письма в ЖЭТФ, 89:12 (2009), 707–712; JETP Letters, 89:12 (2009), 603–608
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikAroRyl09}
\by С.~Н.~Николаев, Б.~А.~Аронзон, В.~В.~Рыльков, В.~В.~Тугушев, Е.~С.~Демидов, С.~А.~Левчук, В.~П.~Лесников, В.~В.~Подольский, Р.~Р.~Гареев
\paper Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2009
\vol 89
\issue 12
\pages 707--712
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl451}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 89
\issue 12
\pages 603--608
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364009120030}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000269208200003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-76449112801}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl451
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v89/i12/p707
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:414
    PDF полного текста:215
    Список литературы:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024