Аннотация:
Изучены особенности квантового эффекта Холла (КЭХ) в
системе бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах.
Установлено, что поведение КЭХ является асимметричным относительно
дираковской точки: при самой низкой температуре (0.2 К)
квантование дырочных фермионов наблюдается в слабых магнитных
полях вплоть до 0.15 Тл, тогда как в электронной части
дираковского конуса оно возникает только в полях около 0.5 Тл.
Подобная асимметрия объясняется влиянием боковых максимумов в
валентной зоне, формирующих долины тяжелых дырок, выполняющих роль
резервуара, а также экранирующих флуктуационный потенциал. На
основе анализа поведения диссипативной компоненты проводимости
в окрестности дираковской точки сделан вывод о существовании
нулевого уровня Ландау в этой точке.
Образец цитирования:
Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Квантовый эффект Холла в системе бесщелевых дираковских фермионов в
HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014), 824–830; JETP Letters, 100:11 (2014), 724–730
\RBibitem{KozKvoMik14}
\by Д.~А.~Козлов, З.~Д.~Квон, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Квантовый эффект Холла в системе бесщелевых дираковских фермионов в
HgTe квантовых ямах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 11
\pages 824--830
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4486}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14230088}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22996271}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 11
\pages 724--730
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014230076}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000350023100008}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24010928}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84923848970}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4486
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i11/p824
Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024), 925–931; N. S. Kuzmin, A. S. Jaroshevich, L. S. Braginskii, M. V. Entin, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, JETP Letters, 119:12 (2024), 950–956
D. A. Kozlov, J. Ziegler, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, D. Weiss, Phys. Rev. B, 108:24 (2023)
Gusev G.M. Kvon Z.D. Kozlov D.A. Olshanetsky E.B. Entin V M. Mikhailov N.N., 2D Mater., 9:1 (2022), 015021
Gennady M. Gusev, Alexander D. Levin, Dmitry A. Kozlov, Ze D. Kvon, Nikolay N. Mikhailov, Nanomaterials, 12:12 (2022), 2047
Alexey Shuvaev, Vlad Dziom, Jan Gospodarič, Elena G. Novik, Alena A. Dobretsova, Nikolay N. Mikhailov, Ze Don Kvon, Andrei Pimenov, Nanomaterials, 12:14 (2022), 2492
M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, W. Desrat, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, V. N. Neverov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, F. Teppe, B. Jouault, Phys. Rev. B, 102:16 (2020), 165305
G. M. Minkov, V. Ya. Aleshkin, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, A. V. Germanenko, Phys. Rev. B, 101:8 (2020), 085305
V. N. Neverov, A. S. Bogolubskii, S. V. Gudina, S. M. Podgornykh, K. V. Turutkin, M. R. Popov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, Semiconductors, 54:8 (2020), 982–990
I. Yahniuk, S. S. Krishtopenko, G. Grabecki, B. Jouault, Ch. Consejo, W. Desrat, M. Majewicz, A. M. Kadykov, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, D. B. But, F. Teppe, J. Wrobel, G. Cywinski, S. Kret, T. Dietl, W. Knap, npj Quantum Mater., 4 (2019), 13
A. A. Dobretsova, Z. D. Kvon, L. S. Braginskii, M. V. Entin, N. N. Mikhailov, Semiconductors, 52:11 (2018), 1468–1472
A. M. Shuvaev, V. Dziom, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, Y. Shao, D. N. Basov, A. Pimenov, Phys. Rev. B, 96:15 (2017), 155434
G. M. Gusev, D. A. Kozlov, A. D. Levin, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, Phys. Rev. B, 96:4 (2017), 045304
А. А. Добрецова, З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, Н. Н. Михайлов, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 402–405; A. A. Dobretsova, Z. D. Kvon, L. S. Braginskii, M. V. Entin, N. N. Mikhailov, JETP Letters, 104:6 (2016), 388–391
М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, В. Н. Неверов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 415–423; M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, V. N. Neverov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, JETP Letters, 104:6 (2016), 403–410
Д. А. Козлов, М. Л. Савченко, Й. Зиглер, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Вайс, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 865–870; D. A. Kozlov, M. L. Savchenko, J. Ziegler, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, D. Weiss, JETP Letters, 104:12 (2016), 859–863
Shuvaev A., Dziom V., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Pimenov A., Phys. Rev. Lett., 117:11 (2016), 117401