|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма
GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn
Л. Н. Овешниковa, В. А. Кульбачинскийba, А. Б. Давыдовc, Б. А. Аронзонac a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
c Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Проведен анализ магнитополевых и температурных зависимостей
аномальной компоненты холловского сопротивления гетероструктур с квантовой
ямой GaAs/InGaAs/GaAs и отдаленным от нее $\delta$-слоем магнитной примеси
(Mn). Сопоставление с температурной зависимостью продольного сопротивления
выявило наличие трех температурных диапазонов, в которых проявляются три
разных механизма аномального эффекта Холла. Представленные результаты можно
рассматривать как экспериментальное подтверждение существенной роли
собственного (intrinsic) механизма аномального эффекта Холла в двумерной
системе.
Поступила в редакцию: 15.09.2014
Образец цитирования:
Л. Н. Овешников, В. А. Кульбачинский, А. Б. Давыдов, Б. А. Аронзон, “Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма
GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn”, Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014), 648–653; JETP Letters, 100:9 (2014), 570–575
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4456 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i9/p648
|
|