Микроволновое фотосопротивление двумерного электронного газа в баллистическом микромостике

Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двумерных (2D) баллистических микромостиках на основе одиночных GaAs квантовых ям при температуре $T=4.2\text{\,К}$ в магнитных полях $B<0.6\,$Тл. Обнаружено различие в магнетополевых зависимостях микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в холловских мостиках длиной $L$ и шириной $W$ в условиях, когда $L$, $W>l_p$ и $L$, $W<l_p$, где $l_p$ — длина свободного пробега электрона по импульсу. В макроскопических мостиках ($L$, $W>l_p$) микроволновое фотосопротивление является знакопеременной периодической функцией обратного магнитного поля, а в микромостиках ($L$, $W<l_p$) — положительной периодической функцией $1/B$. Полученные экспериментальные результаты указывают на различие механизмов возникновения микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в макроскопических и микроскопических мостиках.