Необычно сильное резонансное изменение низкотемпературной теплопроводности кристаллов ZnSe:Ni, обусловленное рассеянием фононов на индуцированных заряженными примесями ангармонических модах

Для кристаллов ZnSe:Ni наблюдалось аномально сильное изменение теплопроводности резонансного типа с резким минимумом при температуре $15\pm 1\,$К. Теплопроводность одного из образцов в минимуме понизилась более чем в 200 раз по сравнению с ее максимальным значением в чистом ZnSe. Для интерпретации необычной температурной зависимости теплопроводности предполагается новый механизм рассеяния фононов — $A$-процесс, являющийся процессом переброса при рассеянии фононов на ангармонических модах, индуцированных заряженными примесями никеля. Это объясняет высокую эффективность $A$-процессов, которая при температуре $15$ К может стать сравнимой с эффективностью $U$-процессов для ZnSe при температуре приблизительно $1000$ К.