Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2001, том 73, выпуск 9, страницы 561–564 (Mi jetpl4392)  
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения

С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко

Институт физики полупроводников НАН Украины, г. Киев
PDF полного текста (272 kB)
Аннотация: В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.
Поступила в редакцию: 15.12.2000
Исправленный вариант: 29.03.2001
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2001, Volume 73, Issue 9, Pages 495–497
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1385666
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.61.Ey, 78.66.-w
Образец цитирования: С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко, “Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 561–564; JETP Letters, 73:9 (2001), 495–497
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GasStaStr01}
\by С.~Г.~Гасан-заде, С.~В.~Старый, М.~В.~Стриха, Г.~А.~Шепельский, В.~А.~Бойко
\paper Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2001
\vol 73
\issue 9
\pages 561--564
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4392}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2001
\vol 73
\issue 9
\pages 495--497
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1385666}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0040079695}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4392
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v73/i9/p561
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:217
    PDF полного текста:42
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024