Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн

Показано, что в совершенных многослойных системах можно с помощью одного только метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии фиксировать смещения атомных слоев (вызываемых инородными слоями), сравнимые и меньше межатомного расстояния. Ранее считалось, что фиксация таких малых смещений доступна лишь особым методам, типа метода стоячих рентгеновских волн. Измерения проводились на системе GaAs/InAs/GaAs, где инородным слоем являлся слой InAs, толщина которого не превышала 3 монослоев, а его структура имела островковый характер и по существу представляла собой набор отдельных квантовых точек. Проведенные измерения позволили определить смещение верхнего слоя GaAs по отношению к буферу GaAs с точностью менее $0.1$ толщины атомного слоя.