|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2001, том 74, выпуск 3, страницы 200–203
(Mi jetpl4184)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 32 научных статьях (всего в 32 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия
Р. И. Джиоевa, Б. П. Захарченяa, В. Л. Кореневa, Д. Гамонb, Д. С. Катцерb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Naval Research Laboratory
Аннотация:
Сообщается о наблюдении рекордно долгих времен спиновой памяти электронов в GaAs. С помощью метода оптической ориентации установлено, что время спиновой релаксации электронов, локализованных на мелких донорах в арсениде галлия $n$-типа $(N_d-N_A\approx10^{14}\,$см$^{-3}$), составляет $290\pm30\,$нс при температуре $4.2$ К. Обменное взаимодействие квазисвободных электронов с электронами на донорах подавляет основной канал потери спина локализованных на донорах электронов – спиновую релаксацию за счет их сверхтонкого взаимодействия с ядрами решетки.
Поступила в редакцию: 06.07.2001
Образец цитирования:
Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев, Д. Гамон, Д. С. Катцер, “Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия”, Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001), 200–203; JETP Letters, 74:3 (2001), 182–185
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4184 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v74/i3/p200
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 137 | PDF полного текста: | 96 | Список литературы: | 1 |
|