|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
ПОЛЯ, ЧАСТИЦЫ, ЯДРА
Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках
с непрямым краем собственного поглощения
В. С. Кривобокa, С. Н. Николаевa, В. С. Багаевa, В. С. Лебедевab, Е. Е. Онищенкоa a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт
Аннотация:
Предсказана возможность формирования состояний, обладающих
сверхизлучающими свойствами, в вырожденном экситонном газе полупроводников с
непрямым краем собственного поглощения. Соответствующее сверхизлучение
вызвано процессами четырехчастичной рекомбинации. Оно возникает при энергиях
кванта, примерно вдвое превышающих ширину запрещенной зоны. Представлены
экспериментальные данные, подтверждающие возможность регистрации
сверхизлучения для SiGe/Si квантовых ям.
Поступила в редакцию: 23.07.2014
Образец цитирования:
В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, В. С. Багаев, В. С. Лебедев, Е. Е. Онищенко, “Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках
с непрямым краем собственного поглощения”, Письма в ЖЭТФ, 100:5 (2014), 343–348; JETP Letters, 100:5 (2014), 306–310
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4111 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i5/p343
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 194 | PDF полного текста: | 51 | Список литературы: | 31 | Первая страница: | 14 |
|