Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 100, выпуск 1, страницы 47–58
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14130098
(Mi jetpl3775)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Transient and steady-state properties of asymmetric semiconductor quantum wells at Telecom wavelength bands

H. R. Hamedi

Institute of Theoretical Physics and Astronomy, Vilnius University
Список литературы:
Аннотация: Transient and steady-state dispersion and absorption properties of a three-subband asymmetric semiconductor quantum well system are investigated. In the steady-state regime, it is shown that by increasing the strength of Fano-interference as well as enhancement of energy splitting of two excited states the slope of dispersion changes from negative to positive which is corresponding to a switch between superluminal to subluminal light propagation. At the same time, the probe absorption reduces at telecommunication wavelength $\lambda=1550\,$nm. The influence of incoherent pumping fields on time-dependent susceptibility is then discussed. It is found that due to more transfer of population to the upper levels, increasing the rate of incoherent pump field leads to the reduction of probe absorption. In addition, it is realized that incoherent pumping has a major role in converting fast to slow propagation of light at long wavelength. We also introduce an extra controllability for the light pulse to be slow downed at Telecom wavelength just through the quantum interference arising from incoherent pumping fields. The obtained results may be practical in telecommunication applications.
Поступила в редакцию: 14.04.2014
Исправленный вариант: 02.06.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 100, Issue 1, Pages 44–54
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014130049
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: H. R. Hamedi, “Transient and steady-state properties of asymmetric semiconductor quantum wells at Telecom wavelength bands”, Письма в ЖЭТФ, 100:1 (2014), 47–58; JETP Letters, 100:1 (2014), 44–54
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ham14}
\by H.~R.~Hamedi
\paper Transient and steady-state properties of asymmetric semiconductor
quantum wells at Telecom wavelength bands
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 1
\pages 47--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3775}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14130098}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21977618}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 1
\pages 44--54
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014130049}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000342148100009}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24720095}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84908072215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3775
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i1/p47
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:171
    PDF полного текста:57
    Список литературы:40
    Первая страница:2
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024