Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 99, выпуск 12, страницы 817–823
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14120078
(Mi jetpl3761)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных наноструктурах (Fe/Si)$_{N}$ с применением поверхностно-чувствительного метода XMCD

М. С. Платуновabc, С. Н. Варнаковbc, С. М. Жарковac, Г. В. Бондаренкоc, И. Весчкеd, И. Счайлеd, С. Г. Овчинниковabc

a Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
d BESSY~II, Helmholtz-Zentrum Berlin
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств наноструктур (Fe/Si)$_{N}$, полученных при последовательном напылении на поверхность SiO$_{2}$/Si(100) при температуре подложки $300$ K. Измерения методом просвечивающей электронной микроскопии позволили определить толщины всех слоев Fe и Si. Магнитные свойства исследованы методом рентгеновского магнитного кругового дихроизма (XMCD) вблизи $L_{3,2}$-краев поглощения Fe. Разделены орбитальный (\emph{m$_{l}$}) и спиновый (\emph{m$_{S}$}) вклады в полный магнитный момент железа. С использованием поверхностной чувствительности метода XMCD и модели интерфейса из немагнитной и ослабленной магнитной фаз, определены толщины магнитного и немагнитного силицида Fe на интерфейсах Si/Fe и Fe/Si.
Поступила в редакцию: 19.05.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 99, Issue 12, Pages 706–711
DOI: https://doi.org/10.1134/S002136401412011X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Платунов, С. Н. Варнаков, С. М. Жарков, Г. В. Бондаренко, И. Весчке, И. Счайле, С. Г. Овчинников, “Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных наноструктурах (Fe/Si)$_{N}$ с применением поверхностно-чувствительного метода XMCD”, Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014), 817–823; JETP Letters, 99:12 (2014), 706–711
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlaVarZha14}
\by М.~С.~Платунов, С.~Н.~Варнаков, С.~М.~Жарков, Г.~В.~Бондаренко, И.~Весчке, И.~Счайле, С.~Г.~Овчинников
\paper Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных
наноструктурах (Fe/Si)$_{N}$ с применением поверхностно-чувствительного
метода XMCD
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 12
\pages 817--823
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3761}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14120078}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21695929}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 12
\pages 706--711
\crossref{https://doi.org/10.1134/S002136401412011X}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000340934300007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23984054}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84906485320}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3761
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i12/p817
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:192
    PDF полного текста:63
    Список литературы:49
    Первая страница:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024