Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$

В работе исследованы причины, по которым пороговая энергия фотоэмиссии полупроводников меньше энергии ионизации атомов, составляющих полупроводник. Отмечено, что предложенная ранее интерпретация этого феномена, основанная на учете дополнительного внутриатомного кулоновского взаимодействия валентных электронов, недостаточна для его объяснения. Показано, что при расчете энергетической электронной структуры полупроводников, в частности порога фотоэмиссии, необходимо учитывать изменение области локализации валентных электронов при встраивании изолированного атома в кристалл. Продемонстрирован способ учета этого изменения в рамках метода сильной связи. Найдены поправки к гамильтониану сильной связи. Рассчитаны величины порогов фотоэмиссии полупроводников A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$ с учетом этих поправок. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.