Терагерцовый электронный транспорт двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме

Изучен терагерцовый отклик двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме при воздействии излучения с длиной волны $118$ и $184$ мкм. Обнаружено, что его фотопроводимость (ФП) составляет значительную величину (до нескольких процентов от темновой проводимости) и существует как в локальном, так и в нелокальном отклике системы. Этот факт доказывает, что обнаруженная ФП обусловлена изменением транспорта по краевым токовым состояниям. Знак и нерезонансный характер ФП показывают, что она связана с электронным разогревом системы. Проведенный анализ позволяет предположить, что источником такого разогрева является друдевское поглощение терагерцового излучения возникающими из-за флуктуаций примесного потенциала и щели металлическими “каплями”, расположенными в непосредственной близости от краевых состояний.