Термоэлектрические свойства полупроводника Bi$_2$Te$_3$ с различной концентрацией носителей при высоких давлениях

Проведены измерения абсолютной термоЭДС и относительного электросопротивления Bi$_2$Te$_3$ $n$-типа под гидростатическим давлением до $9$ ГПа при комнатной температуре. При давлениях более $5$ ГПа и до фазового перехода ($7$ ГПа) обнаружен аномальный рост термоЭДС для образцов с концентрацией носителей тока менее $10^{19}\,$см$^{-3}$. У наиболее чистого образца ($n=10^{18}\,$см$^{-3}$) термоЭДС достигает величины $+150$ мкВ/K. На барических зависимостях электросопротивления $n$-Bi$_2$Te$_3$ не обнаружено никаких аномалий вплоть до давления фазового перехода ($7$ ГПа). Таким образом, в Bi$_2$Te$_3$ под давлением перед фазовым переходом обнаружено состояние с гигантской термоэлектрической эффективностью.