Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 99, выпуск 4, страницы 231–236
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14040067 (Mi jetpl3664) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях

О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (1327 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14040067
Аннотация: Численно исследован двумерный квантовый транспорт через полоску гексагональной решетки антиточек, перекрывающую многомодовый канал в структуре GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что малые перпендикулярные магнитные поля ($\sim 3$ мT) подавляют объемные токи, вызывают появление краевых состояний Ландау и большое положительное магнитосопротивление по обе стороны от дираковской точки. В некоторых интервалах по энергии присутствуют таммовские краевые состояния, что добавляет к ступеням квантования кондактанса $G_n=(2|n|+1)2e^2/h$ осцилляции амплитуды $\approx 4e^2/h$, вызванные квантованием этих состояний на длине решетки.
Поступила в редакцию: 20.01.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 99, Issue 4, Pages 204–209
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014040146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, “Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 231–236; JETP Letters, 99:4 (2014), 204–209
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TkaTka14}
\by О.~А.~Ткаченко, В.~А.~Ткаченко
\paper Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных
полях
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 4
\pages 231--236
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3664}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14040067}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21430564}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 4
\pages 204--209
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014040146}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000335664500006}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21876692}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84899839529}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3664
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i4/p231
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:231
    PDF полного текста:43
    Список литературы:41
    Первая страница:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024