|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных
полях
О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Численно исследован двумерный квантовый транспорт через полоску
гексагональной решетки антиточек, перекрывающую многомодовый
канал в структуре GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что малые
перпендикулярные магнитные поля ($\sim 3$ мT) подавляют объемные
токи, вызывают появление краевых состояний Ландау и большое
положительное магнитосопротивление по обе стороны от дираковской
точки. В некоторых интервалах по энергии присутствуют таммовские
краевые состояния, что добавляет к ступеням квантования
кондактанса $G_n=(2|n|+1)2e^2/h$ осцилляции амплитуды
$\approx 4e^2/h$, вызванные квантованием этих состояний на длине
решетки.
Поступила в редакцию: 20.01.2014
Образец цитирования:
О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, “Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных
полях”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 231–236; JETP Letters, 99:4 (2014), 204–209
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3664 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i4/p231
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 231 | PDF полного текста: | 43 | Список литературы: | 41 | Первая страница: | 22 |
|