|
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур
GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания
униполярных лазеров
Ю. А. Алещенкоab, В. В. Капаевa, М. В. Кочиевa, Ю. Г. Садофьевa, В. А. Цветковa a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных
структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте
барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое
для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между
лазерными подзонами ($9$ пс), которое превышает время
безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает
инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано
эффективное подавление паразитного каскадного перехода между
лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра.
Поступила в редакцию: 29.01.2014
Образец цитирования:
Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков, “Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур
GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания
униполярных лазеров”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 207–212; JETP Letters, 99:4 (2014), 182–186
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3660 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i4/p207
|
|