Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 99, выпуск 1, страницы 54–58
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14010111
(Mi jetpl3635)
 

Эта публикация цитируется в 50 научных статьях (всего в 50 статьях)

РАЗНОЕ

Релаксационные процессы электронной и решеточной подсистем при абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами

И. А. Артюков, Д. А. Заярный, А. А. Ионин, С. И. Кудряшов, С. В. Макаров, П. Н. Салтуганов

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Пороги одноимпульсной абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами по откольному и фрагментационному механизмам, а также глубины соответствующих абляционных кратеров измерены методом оптической интерферометрии для различных значений длительности лазерных импульсов, $\tau_{\text{las}}=(0.3{-}3.6)\,$пс. Немонотонная зависимость обоих порогов от $\tau_{\text{las}}$ с минимумом вблизи $1.2$ пс (характерное время электрон-фононной релаксации $\tau_{ep}$) отражает релаксационные явления транспорта и эмиссии нетермализованных и термализованных носителей, соответственно, для суб- и пикосекундных лазерных импульсов. В отличие от относительно медленной откольной абляции более быстрое (пикосекундное) фрагментационное удаление материала путем гидродинамического разлета его закритического флюида практически исчезает при $\tau_{\text{las}}>\tau_{ep}$ ввиду испарительного охлаждения поверхности материала.
Поступила в редакцию: 06.12.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 99, Issue 1, Pages 51–55
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014010020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Артюков, Д. А. Заярный, А. А. Ионин, С. И. Кудряшов, С. В. Макаров, П. Н. Салтуганов, “Релаксационные процессы электронной и решеточной подсистем при абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами”, Письма в ЖЭТФ, 99:1 (2014), 54–58; JETP Letters, 99:1 (2014), 51–55
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArtZayIon14}
\by И.~А.~Артюков, Д.~А.~Заярный, А.~А.~Ионин, С.~И.~Кудряшов, С.~В.~Макаров, П.~Н.~Салтуганов
\paper Релаксационные процессы электронной и решеточной подсистем при
абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 1
\pages 54--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3635}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14010111}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21305874}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 1
\pages 51--55
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014010020}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000333470400011}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21869665}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84897101165}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3635
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i1/p54
  • Эта публикация цитируется в следующих 50 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:479
    PDF полного текста:107
    Список литературы:69
    Первая страница:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024