Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2013, том 98, выпуск 12, страницы 947–951
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1324017X (Mi jetpl3620) 		 
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Metal-insulator transition in a HgTe quantum well under hydrostatic pressure

E. B. Olshanetskiia, Z. D. Kvonba, Ya. A. Gerasimenkoc, V. A. Prudkoglyadc, V. M. Pudalovcd, N. N. Mikhailova, S. A. Dvoretskiia

a Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk
b Novosibirsk State University
c P. N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow
d Moscow Institute of Physics and Technology
PDF полного текста (741 kB) Список цитирования (20)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X1324017X
Аннотация: The 2D semimetal in a $20$ nm (100) HgTe quantum well is characterized by a comparatively low overlap between the conduction and the valence bands induced by lattice mismatch. In the present paper we report the results of transport measurements in this quantum well under hydrostatic pressure of $14.4$ kbar. By applying pressure we have further reduced the band overlap, thereby creating favorable conditions for the formation of the excitonic insulator state. As a result, we observed that the metallic-like temperature dependence of the conductivity at lowering temperature sharply changes to the activated behavior, signalling the onset of an excitonic insulator regime.
Поступила в редакцию: 25.11.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, Volume 98, Issue 12, Pages 843–847
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364013250176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: E. B. Olshanetskii, Z. D. Kvon, Ya. A. Gerasimenko, V. A. Prudkoglyad, V. M. Pudalov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Metal-insulator transition in a HgTe quantum well under hydrostatic pressure”, Письма в ЖЭТФ, 98:12 (2013), 947–951; JETP Letters, 98:12 (2013), 843–847
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OlsKvoGer13}
\by E.~B.~Olshanetskii, Z.~D.~Kvon, Ya.~A.~Gerasimenko, V.~A.~Prudkoglyad, V.~M.~Pudalov, N.~N.~Mikhailov, S.~A.~Dvoretskii
\paper Metal-insulator transition in a HgTe quantum well under hydrostatic pressure
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2013
\vol 98
\issue 12
\pages 947--951
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3620}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X1324017X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21197193}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2013
\vol 98
\issue 12
\pages 843--847
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364013250176}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000331999200017}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21866014}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84894374038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3620
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i12/p947
    • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:280
    PDF полного текста:74
    Список литературы:56
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024