Нелинейный магнетотранспорт в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью

Изучен нелинейный магнетотранспорт двумерных (2D) электронов в селективно легированных гетероструктурах GaAs/AlAs с анизотропной подвижностью $\mu$, имеющей максимальное значение в направлении $[1\overline{1}0]$, а минимальное – в направлении [110]. Обнаружено, что при увеличении постоянного электрического тока $I_{dc}$ в холловских мостиках, ориентированных вдоль направления [110], переход 2D-системы в магнетополевое состояние с дифференциальным сопротивлением $r_{xx}\approx 0$ происходит при меньшей величине $I_{dc}$ и сопровождается более глубоким “провалом” в область отрицательных значений $r_{xx}$ по сравнению с мостиками, ориентированными вдоль направления $[1\overline{1}0]$. Полученные экспериментальные результаты объясняются ролью подвижности в спектральной диффузии неравновесных носителей заряда.