|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
ПО ИТОГАМ ПРОЕКТОВ РОССИЙСКОГО ФОНДА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых
полупроводниках
Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного
терагерцового излучения
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Локальные электронные состояния в легированных индием твердых растворах на основе
теллурида свинца характеризуются рядом особенностей, выделяющих их из многообразия
примесных состояний в полупроводниках. В наиболее явном виде эти особенности
проявляются в терагерцовой фотопроводимости. В настоящем обзоре рассматриваются
результаты соответствующих экспериментальных исследований, проводимых в рамках проектов РФФИ в
течение последних лет.
Поступила в редакцию: 15.05.2013
Образец цитирования:
Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых
полупроводниках
Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного
терагерцового излучения”, Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013), 825–831; JETP Letters, 97:12 (2013), 720–726
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3453 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v97/i12/p825
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 246 | PDF полного текста: | 62 | Список литературы: | 39 | Первая страница: | 10 |
|