|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Спиновая релаксация в квантовых ямах GaAs/AlGaAs вблизи
нечетных факторов заполнения
А. В. Щепетильниковab, Ю. А. Нефедовa, И. В. Кукушкинa a Институт физики твердого тела РАН
b Московский физико-технический институт
Аннотация:
Исследован электронный парамагнитный резонанс в
GaAs/AlGaAs квантовых ямах вблизи нечетных факторов заполнения
$\nu=3,5,7$. По ширине линии резонансного микроволнового поглощения
определено время спиновой релаксации двумерных электронов. Изучены
зависимости времени спиновой релаксации от фактора заполнения,
температуры и ориентации магнитного поля. При удалении от нечетных
факторов заполнения время спиновой релаксации заметно падает, а его
максимальное значение зависит от угла наклона магнитного поля к
плоскости двумерного электронного газа.
Поступила в редакцию: 02.04.2013
Образец цитирования:
А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефедов, И. В. Кукушкин, “Спиновая релаксация в квантовых ямах GaAs/AlGaAs вблизи
нечетных факторов заполнения”, Письма в ЖЭТФ, 97:10 (2013), 660–664; JETP Letters, 97:10 (2013), 574–578
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3425 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v97/i10/p660
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 203 | PDF полного текста: | 55 | Список литературы: | 40 | Первая страница: | 15 |
|