|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Численное моделирование графена в магнитном поле в рамках
эффективной теории поля
В. В. Брагутаab, С. Н. Валгушевac, О. В. Павловскийda, М. И. Поликарповac, М. В. Улыбышевad a Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова, г. Москва
b Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН
c Московский физико-технический институт
d Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Представлены результаты моделирования графена, полученные методом
Монте-Карло, во внешнем магнитном поле,
перпендикулярном плоскости графена. Расчеты выполнены в рамках эффективной
квантовой теории поля с некомпактным $3+ 1$-мерным
абелевым калибровочным полем и $2 + 1$-мерными фермионами
Когута–Сасскинда.
Обнаружено, что внешнее магнитное поле
смещает точку фазового перехода полуметалл–изолятор в сторону
бо́льших значений диэлектрической
проницаемости подложки. Построена фазовая диаграмма перехода
полуметалл–изолятор
в плоскости диэлектрическая
проницаемость подложки–магнитное поле.
Поступила в редакцию: 18.02.2013 Исправленный вариант: 16.03.2013
Образец цитирования:
В. В. Брагута, С. Н. Валгушев, О. В. Павловский, М. И. Поликарпов, М. В. Улыбышев, “Численное моделирование графена в магнитном поле в рамках
эффективной теории поля”, Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013), 597–600; JETP Letters, 97:9 (2013), 517–519
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3413 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v97/i9/p597
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 245 | PDF полного текста: | 87 | Список литературы: | 38 | Первая страница: | 8 |
|