Наблюдение кроссовера от слабой локализации к антилокализации в температурной зависимости сопротивления двумерной системы со спин-орбитальным взаимодействием

В дырочных каналах кремниевых полевых транзисторов обнаружена немонотонная температурная зависимость сопротивления с максимумом в интервале температур $2$–$4$ К, положение которого зависит от плотности дырок. На основании измерений знакопеременного аномального магнетосопротивления получены значения времени спин-орбитальной релаксации дырок и температурные зависимости времени сбоя фазы электронной волны. Используя эти параметры, немонотонную температурную зависимость сопротивления удается описать формулами теории слабой локализации. При этом максимум возникает вследствие изменения соотношения между измеренными временами, происходящего при изменении температуры. В результате локализационное поведение проводимости при высоких температурах сменяется антилокализационным при низких. Учет квантовых поправок к проводимости, обусловленных электрон-электронным взаимодействием, улучшает количественное согласие эксперимента и расчета. Таким образом, продемонстрировано, что, в отличие от широко распространенного представления, существует область параметров, в которой электрон-электронное взаимодействие не меняет антилокализационного (металлического) типа температурной зависимости сопротивления.