|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 10, страницы 743–748
(Mi jetpl3290)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Критический ток в планарных джозефсоновских S–N–S-системах
Т. Е. Голиковаa, Ф. Хюблерb, Д. Бекманb, Н. В. Кленовc, С. В. Бакурскийc, М. Ю. Куприяновc, И. Е. Батовa, В. В. Рязановad a Институт физики твердого тела РАН
b Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology
c Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
d Московский физико-технический институт (государственный университет)
Аннотация:
Экспериментально и теоретически исследованы особенности эффекта
близости и джозефсоновского поведения планарных субмикронных
S–N–S-структур, изготовленных с помощью электронной литографии и теневого
напыления. Обнаружено резкое повышение критического тока структур при понижении
температуры,
связанное с изменением эффективного размера слабой связи за счет
включения дополнительной SN-границы.
Поступила в редакцию: 17.10.2012
Образец цитирования:
Т. Е. Голикова, Ф. Хюблер, Д. Бекман, Н. В. Кленов, С. В. Бакурский, М. Ю. Куприянов, И. Е. Батов, В. В. Рязанов, “Критический ток в планарных джозефсоновских S–N–S-системах”, Письма в ЖЭТФ, 96:10 (2012), 743–748; JETP Letters, 96:10 (2012), 668–673
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3290 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i10/p743
|
|