Оптическая ориентация ядер в азотосодержащих твердых растворах GaAsN при комнатной температуре

Кривые интенсивности и гигантской круговой поляризации краевой люминесценции в продольном магнитном поле, измеренные в азотосодержащих твердых растворах GaAsN при комнатной температуре и циркулярно поляризованной накачке, сдвинуты относительно нуля поля на величину $B_{\textrm{eff}}$. Обнаружено, что величина внутреннего поля $B_{\textrm{eff}}$ растет с увеличением интенсивности накачки и выходит на насыщение $\approx250$ Гс при больших плотностях возбуждения. Насыщение поля $B_{\textrm{eff}}$ с ростом накачки свидетельствует о том, что оно является полем ядер, динамически поляризованных при сверхтонком взаимодействии с оптически ориентированными глубокими парамагнитными центрами, а не полем обменного взаимодействия, создаваемым на центре поляризованными по спину фотовозбужденными электронами проводимости. Короткое время поляризации ядер электронами ($<15$ мкс), измеренное при модуляции круговой поляризации возбуждающего света с высокой частотой, указывает на малое количество ядер, испытывающих сверхтонкое взаимодействие с локализованным на центре электроном.