Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 7, страницы 528–533 (Mi jetpl3252)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов

И. А. Нечаевab, Е. В. Чулковcb

a Томский государственный университет
b Donostia International Physics Center
c Departamento de Física de Materiales, Facultad de Quimica, UPV/EHU, San Sebastian, Basque Country
Список литературы:
Аннотация: В рамках $GW$-приближения показано, что за счет электрон-электронного взаимодействия в спектральной функции двумерной электронной системы, сформированной электронами на поверхности топологического изолятора, появляются плазменные сателлиты. Они возникают в результате резонансного плазмон-дырочного рассеяния. Учет вклада сателлитов при вычислении одноэлектронной плотности состояний приводит к смещению минимума плотности, сопоставляемого в эксперименте с точкой Дирака, вниз по энергии. Представлен метод рассмотрения влияния вершинных поправок на полученный спектр, позволяющий выходить за пределы $GW$-приближения путем суммирования лестничных диаграмм в разложении как поляризационной функции, так и собственной энергии. С помощью этого метода установлено, что учет многократного электрон-дырочного рассеяния не приводит к значимым изменениям в найденном спектре.
Поступила в редакцию: 21.06.2012
Исправленный вариант: 04.09.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 96, Issue 7, Pages 480–485
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012190125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Нечаев, Е. В. Чулков, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 528–533; JETP Letters, 96:7 (2012), 480–485
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NecЧул12}
\by И.~А.~Нечаев, Е.~В.~Чулков
\paper Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности
трехмерных топологических изоляторов
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 96
\issue 7
\pages 528--533
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3252}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=18087591}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 96
\issue 7
\pages 480--485
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012190125}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000312879100013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20488169}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84871328383}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3252
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i7/p528
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:194
    PDF полного текста:64
    Список литературы:36
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024